2017年10月21日土曜日

半導体材料の定数


*半導体材料の定数 (温度; 300 K における)

GaAs はガリウムヒ素、通称ガリヒ素と呼ばれていますね。



項目\材料 (温度 300K) Ge Si GaAs
移動度 [m²/V・s]       正孔 0.19 0.06 0.04
電子 0.39 0.15 0.85
禁制帯幅 [eV] 0.80 1.12 1.43
原子密度 [m⁻³] 4.42 × 10²⁸ 5.0 × 10²⁸ 2.21 × 10²⁸
原子量 72.6 28.1 114.6
格子定数 [Å] 5.56 5.43 5.65
仕事関数 [eV] 4.4 4.8 4.7
真性キャリア密度 [m⁻³] 2.5 × 10¹⁸ 1.6 × 10¹⁶ 1.1 × 10¹⁵
伝導帯の有効状態密度 [m⁻³] 1.4 × 10²⁵ 2.8 × 10²⁵ 4.7 × 10²⁴
価電子帯の有効状態密度 [m⁻³] 6.1 × 10²⁴ 1.02 × 10²⁵ 7.0 × 10²⁴
比誘電率 16 11.8 10.9
質量密度 [kg/m³] 5.3 × 10³ 2.33 × 10³ 5.23 × 10³
静止質量 Ms [kg] 9.1 × 10⁻³¹ 9.1 × 10⁻³¹ 9.1 × 10⁻³¹
有効質量 [kg]   正孔 0.30 Ms 0.52 Ms 0.5 Ms
電子 0.22 Ms 0.33 Ms 0.068 Ms
融点 [℃] 937 1420 1238